|
|
Bulk-driven current mirrors
Kováčik, Martin ; Prokop, Roman (oponent) ; Khateb, Fabian (vedoucí práce)
My bachelor’s thesis is about bulk-driven CMOS principle for several analog circuit projects. A substrate gate is used for signal input to achieve low supply voltage and low wattage while keeping parameters adequate to current structures. The goal of my work was to design current mirror with low supply voltage and low wattage with usage of this principle. In my work there are basic data about bulk-driven technology and MOFSET transistors used in this technology. My project contains different kinds of schemes of bulk-driven current mirrors which are compared with conventional gate-driven current mirror. These circuits are simulated in Orcard Pspise program.
|
|
|
Měnič pro svařování elektrickým obloukem
Matiaško, Maroš ; Huták, Petr (oponent) ; Vorel, Pavel (vedoucí práce)
Táto bakalárska práca sa zaoberá návrhom, dimenzovaním a konštrukciou zváracieho zdroja na princípe vysokofrekvečného meniča. Hlavnou náplňou práce je návrh spínaného meniča pre zváranie obalenou elektródou na princípe jednočinného priepustného meniča. Zvárací zdroj je regulovaný na udržanie konštantného prúdu.
|
|
|
Budicí obvody výkonového tranzistoru SiC MOSFET
Vitek, Vojtech ; Vorel, Pavel (oponent) ; Procházka, Petr (vedoucí práce)
Bakalárska práca opisuje princípy budenia výkonových tranzistorov MOSFET z materiálu karbid kremíka SiC. Cieľom je podrobne opísať jednotlivé typy budenia a základné zásady pri navrhovaní budičov. Praktickou časťou práce je osadenie dosky plošných spojov budiča navrhnutého na UVEE FEKT VUT Brno a overenie jeho činnosti .
|
|
| |
|
| |
|
| |
|
|
Střídač pro trojfázový motor
Mikuška, Martin ; Červinka, Dalibor (oponent) ; Knobloch, Jan (vedoucí práce)
Táto diplomová práca sa zaoberá návrhom jednotlivých obvodov trojfázového meniča. Riadenie meniča zabezpečuje digitálny signálový kontrolér MC56F8013 spolu s jeho obslužným programom. Princíp riadenia je navrhnutý pre jednotlivé motory, celý menič je navrhnutý s ohľadom na univerzálnosť a možnosť použitia pre akýkoľvek trojfázový elektromotor, len výmenou koncového stupňa. Prípadne jednotlivých blokov, ktoré sú navzájom kompatibilné.
|
|
|
Počítačové modelování MOSFET tranzistoru
Major, Jan ; Harwot, Ondřej (oponent) ; Pokorný, Michal (vedoucí práce)
Práce je zaměřena na počítačové modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programu COMSOL Multiphysics a v programu TiberCAD. V textu je pojednáno o driftu a difůzi v polovodičích. Také je ukázán způsob modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programech a srovnání modelů.
|
|
|
Model tranzistoru MOSFET v programu SystemVision
Michálek, Branislav ; Brančík, Lubomír (oponent) ; Kolka, Zdeněk (vedoucí práce)
Táto bakalárska práca sa zaoberá modelovaním tranzistora MOS. Súčasťou teoretickej časti sú rozbor základnej štruktúry a fungovania MOS tranzistora, základy modelovania vo všeobecnosti, popis SPICE modelov LEVEL1 a LEVEL3 a spôsob získavania modelových parametrov pomocou optimalizačnej metódy. Realizačná časť je venovaná vytvoreniu statických modelov pre DC analýzu troch konkrétnych tranzistorov v podobe netlistu pre simulátory SPICE s použitím parametrov, ktoré boli získané optimalizačnou metódou v programe Matlab. Platnosť realizovaných modelov je následne overená porovnaním ich simulovaných charakteristík v programe SystemVision s charakteristikami uvedenými v datasheetoch tranzistorov.
|
|
|
SPICE model of LDMOS structure
Loginov, Dmitrii ; Biolek, Dalibor (oponent) ; Hejátková, Edita (vedoucí práce)
In this bachelor thesis, comparison of Lateral Double-diffused MOS against conventional MOS structure is presented. Anomalous effects, issues that this high-voltage device brings to modeling and characterization, and theoretical analysis of this type of structure are described in the first chapter. Next part of this project is focused on possible approaches in characterization that is used in the semiconductor industry, of LDMOS. The BSIM methodology, described in chapter two, has been chosen to create a DC and CV model of an n-type LDMOS device measured at the ON semiconductor laboratory. The steps of characterization, such as measurement, tuning of characteristics to an optimized BSIM4 parameter set are reported in the last chapters of this work.
|
host ::
RSS.